Черный порошок SiC 800# для полупроводникового оборудования — пористая керамика карбида кремния
В оборудовании для производства полупроводников необходимы высокопроизводительные керамические компоненты. В частности, карбидокремниевая керамика является важным компонентом ключевого оборудования, такого как травильные машины, литографические машины, машины ионной имплантации и т. д. Например, присоски для шлифовки и полировки, присоски для фотолитографии, инспекционные присоски, процессы травления и движущиеся платформы имеют наличие карбидокремниевой керамики. Эти керамические компоненты из карбида кремния обладают хорошей структурной стабильностью, термической стабильностью, износостойкостью, коррозионной стойкостью и высокой точностью размеров. Порошок карбида кремния, как основное сырье для производства карбидокремниевой керамики, также должен иметь хорошие и стабильные свойства. Среди них типичным применением является черный порошок SiC 800# для пористых керамических присосок из карбида кремния.
Благодаря усовершенствованному производству порошка SiC физические и химические свойства и стабильность размера частиц значительно улучшились. Мелкий черный порошок SiC, очищенный в результате просеивания, кислотно-щелочной промывки и промывки водой, больше подходит для требований таких высокотехнологичных областей, как полупроводники. Конкретные характеристики заключаются в следующем:
1. Высокая температурная стабильность.
Черный порошок SiC имеет очень высокую температуру плавления и термическую стабильность, что позволяет пористой керамике сохранять хорошие характеристики в условиях высоких температур.
2. Высокая чистота.
После химической обработки и промывки водой черный порошок карбида кремния имеет низкое содержание магнитных полей, низкое содержание свободного углерода, хорошую текучесть и легкое диспергирование.
3. Высокая концентрация частиц.
Высокая однородность размера частиц, узкий диапазон частиц порошка и высокая плотность упаковки. Это может улучшить плотность керамики из карбида кремния.
4. Отличные механические свойства.
Черный SiC обладает высокой твердостью, прочностью и превосходной стойкостью к сжатию. Это может повысить механическую прочность и износостойкость пористой керамики.
5. Сильная химическая стабильность.
Черный карбид кремния обладает хорошей коррозионной стойкостью к кислотам, основаниям и большинству химических веществ. Это может улучшить химическую стабильность и коррозионную стойкость пористой керамики.
6. Хорошая теплопроводность.
Благодаря высокой теплопроводности черного карбида кремния пористая керамика может более эффективно передавать и рассеивать тепло.
7. Низкий коэффициент теплового расширения.
Черный карбид кремния имеет более низкий коэффициент теплового расширения. Это помогает снизить термическое напряжение и повреждение пористой керамики при изменении температуры.
8. Повышенная стойкость к окислению.
Черный SiC может улучшить стойкость пористой керамики к окислению и продлить срок ее службы.
Таким образом, использование черного карбида кремния в качестве добавки или основного материала для пористой керамики может значительно улучшить ее высокотемпературную стабильность, механические свойства, химическую стабильность и различные другие свойства. Эти преимущества делают его более широко применимым в условиях высоких температур, высокого давления и сильно агрессивных сред, особенно в промышленности полупроводникового оборудования.
