Карбид кремния популярен в автомобильной промышленности, использующей новые источники энергии.
В последние годы индустрия транспортных средств на новых источниках энергии быстро процветает. Карбид кремния играет важную роль в зарядном устройстве OBC. Удобная и быстрая зарядка стала важным фактором для потребителей при покупке и использовании транспортных средств на новых источниках энергии. По сравнению с стационарным зарядным устройством постоянного тока вне транспортного средства, бортовое зарядное устройство (OBC) имеет небольшие ограничения по месту и удобную зарядку, что очень подходит для нужд зарядки отечественных транспортных средств, использующих новые источники энергии. Бортовое зарядное устройство (OBC), являющееся основной частью транспортных средств на новых источниках энергии, напрямую определяет безопасность и стабильность транспортных средств на новых источниках энергии.
Благодаря уникальному сочетанию высокого критического электрического поля, высокой скорости дрейфа электронов, высокой температуры и высокой теплопроводности карбид кремния стал лучшим выбором для мощных систем.
На уровне транзистора он имеет низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS (on)) и низкие коммутационные потери, что делает его идеальным выбором для приложений с высоким током и высоким напряжением.
Понятно, что BYD, Geely, Xinrui Technology, Renault, Bogue Warner, Shanghai Volkswagen и Nissan используют устройства SiC в бортовом зарядном устройстве (OBC) некоторых своих моделей.
В дополнение к SiC, кремниевые (Si) MOSFET также являются активными устройствами в высокомощном исполнении. OBC, использующие традиционные силовые полупроводники на основе кремния (Si) в качестве основных силовых устройств, достигли узкого места по эффективности и удельной мощности. Продолжающееся использование полупроводников на основе кремния не смогло значительно повысить эффективность и удельную мощность OBC. Напротив, силовые устройства из карбида кремния (SiC) обладают характеристиками высокой частоты и высокой эффективности. Использование устройств питания SiC на OBC очень помогает повысить эффективность и удельную мощность OBC.
