Нанопорошок карбида кремния 4N, производитель из Китая.
Китайский производитель нанопорошка карбида кремния 4N поставляет высокочистый нанопорошок карбида кремния с размерами частиц 500 нм, 300 нм, 100 нм и т.д. Это β-фазный карбид кремния с чистотой 5N или выше. β-фазный кубический карбид кремния имеет 3C-кубическую кристаллическую структуру, а его уникальная кристаллическая морфология обеспечивает ему твердость, приближающуюся к твердости алмаза, с твердостью по шкале Мооса 9,5-9,75. Высокочистый порошок β-карбида кремния получают с использованием методов высокотемпературного термореактивного синтеза и химического осаждения из газовой фазы (CVD). Продукт отличается высокой чистотой, высоким содержанием β-фазы, контролируемым размером частиц, превосходной спекающей активностью и хорошей диспергируемостью. Одновременно кубический карбид кремния обладает превосходными физико-химическими свойствами, такими как высокая теплопроводность, высокая скорость дрейфа электронов, высокая подвижность электронов, коррозионная стойкость и хорошая термостойкость. Он широко используется в аэрокосмической отрасли, производстве высококачественной керамики, аккумуляторных батарей, обработке поверхностей и полупроводниковой промышленности.
Эксплуатационные характеристики нанопорошка карбида кремния 4N (производитель из Китая):
- Высокая чистота, при которой чистота продукта достигает 5N или выше.
- Содержание кубической фазы до 99%, чистая β-фаза в кристаллической форме.
- Морфология: Сферические частицы с широким диапазоном выбираемых размеров.
- Низкое содержание кислорода, менее 0,3%.
- Обладает хорошей спекающей способностью и легко диспергируется.
- Превосходная термостойкость, износостойкость, коррозионная стойкость и устойчивость к термическим ударам.
Физические показатели нанопорошка карбида кремния 4N (производитель из Китая)
| кристаллическая структура | кубический |
| Кристаллическая фаза | б |
| β-содержание | ≥99% |
| Температура плавления | 2700° |
| Температура разложения | 2830°±40° |
| коэффициент теплового расширения | 2,5-7 x10⁻⁶ /°C |
| Теплопроводность | 0,255 Вт/см·К |
| твердость по шкале Мооса | 9,5-9,75 |
| Твердость по Виккерсу (микротвердость) | 3300-3500 кг/мм² |
| Удельная плотность | 3,216 г/см³ |
Спец.
| Спец. | Размер | Чистота SiC (%) | β-процент | Форма |
| 5N-βSiC-100nm | 100 нм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-300nm | 300 нм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-500nm | 500 нм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-2um | 2 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-5um | 5 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-10um | 10 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-10um | 50 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 7N-βSiC-G | 1-10 мм | 7Н | ≥99% | Частица |
Применение нанопорошка карбида кремния 4N (производитель из Китая)
- Тонкий помол
- Высокоточная керамика из карбида кремния
- Новые энергетические батареи
- Полупроводники
- Специальные покрытия
- Высокотемпературные материалы
- Электронные компоненты
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ:
В: Какова чистота нанопорошка β-SiC, который вы можете получить?
А: Мы можем производить нанопорошок карбида кремния с чистотой 99%, 99,9% и 99,99%.
В: Какой технологический процесс производства нанопорошка SiC вы используете?
А: Мы производим нанопорошок карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы (CVD).
