Высокочистый порошок бета-SiC, порошок карбида кремния 4N 5N, 2 мкм, 5 мкм, 10 мкм.
Порошок карбида кремния бета-фазы высокой чистоты (4N, 5N, 2 мкм, 5 мкм, 10 мкм) представляет собой карбид кремния бета-фазы с чистотой 5N или выше. Кубический карбид кремния бета-фазы имеет кубическую кристаллическую структуру 3C, а его уникальная кристаллическая морфология обеспечивает ему твердость, приближающуюся к твердости алмаза, с твердостью по шкале Мооса 9,5-9,75. Порошок карбида кремния бета-фазы высокой чистоты получают с использованием высокотемпературных термореактивных методов и химического осаждения из газовой фазы (CVD). Продукт отличается высокой чистотой, высоким содержанием бета-фазы, контролируемым размером частиц, превосходной спекающей активностью и хорошей диспергируемостью. Одновременно кубический карбид кремния обладает превосходными физико-химическими свойствами, такими как высокая теплопроводность, высокая скорость дрейфа электронов, высокая подвижность электронов, коррозионная стойкость и хорошая термостойкость. Он широко используется в аэрокосмической отрасли, высокотехнологичной керамике, батареях для возобновляемой энергии, обработке поверхностей и полупроводниковой промышленности.
![]()
![]()
Эксплуатационные характеристики порошка карбида кремния высокой чистоты бета-типа (4N, 5N) с размером частиц 2 мкм, 5 мкм, 10 мкм:
- Высокая чистота, при которой чистота продукта достигает 5N или выше.
- Содержание кубической фазы до 99%, чистая β-фаза в кристаллической форме.
- Морфология: Сферические частицы с широким диапазоном выбираемых размеров.
- Низкое содержание кислорода, менее 0,3%.
- Обладает хорошей спекающей способностью и легко диспергируется.
- Превосходная термостойкость, износостойкость, коррозионная стойкость и устойчивость к термическим ударам.
Физические показатели порошка бета-SiC высокой чистоты 4N 5N карбида кремния 2 мкм 5 мкм 10 мкм
| кристаллическая структура | кубический |
| Кристаллическая фаза | б |
| β-содержание | ≥99% |
| Температура плавления | 2700° |
| Температура разложения | 2830°±40° |
| коэффициент теплового расширения | 2,5-7 x10⁻⁶ /°C |
| Теплопроводность | 0,255 Вт/см·К |
| твердость по шкале Мооса | 9,5-9,75 |
| Твердость по Виккерсу (микротвердость) | 3300-3500 кг/мм² |
| Удельная плотность | 3,216 г/см³ |
Спец.
| Спец. | Размер | Чистота SiC (%) | β-процент | Форма |
| 5N-βSiC-100nm | 100 нм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-300nm | 300 нм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-500nm | 500 нм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-2um | 2 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-5um | 5 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-10um | 10 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 5N-βSiC-10um | 50 мкм | 5Н | ≥99% | субсферический |
| 7N-βSiC-G | 1-10 мм | 7Н | ≥99% | Частица |
Применение порошка высокочистого бета-SiC, порошка карбида кремния 4N, 5N, 2 мкм, 5 мкм, 10 мкм.
- Тонкий помол
- Высокоточная керамика из карбида кремния
- Новые энергетические батареи
- Полупроводники
- Специальные покрытия
- Высокотемпературные материалы
- Электронные компоненты




