Порошок SiC 5N, кубический бета-карбид кремния, 100 нм, 300 нм, 500 нм.

Порошок SiC 5N, кубический бета-карбид кремния, 100 нм, 300 нм, 500 нм.

Высокочистый бета-карбид кремния — это β-фазный карбид кремния с чистотой 5N или выше. Кубический β-карбид кремния имеет кубическую кристаллическую структуру 3C, а его уникальная кристаллическая морфология обеспечивает ему твердость, приближающуюся к твердости алмаза, с твердостью по шкале Мооса 9,5-9,75. Высокочистый порошок β-карбида кремния получают с использованием методов высокотемпературного термореактивного синтеза и химического осаждения из газовой фазы (CVD). Продукт отличается высокой чистотой, высоким содержанием бета-фазы, контролируемым размером частиц, превосходной спекающей активностью и хорошей диспергируемостью. Одновременно кубический карбид кремния обладает превосходными физико-химическими свойствами, такими как высокая теплопроводность, высокая скорость дрейфа электронов, высокая подвижность электронов, коррозионная стойкость и хорошая термостойкость. Он широко используется в аэрокосмической отрасли, высокотехнологичной керамике, аккумуляторах для новых источников энергии, обработке поверхностей и полупроводниковой промышленности.

Эксплуатационные характеристики порошка 5N SiC — кубического бета-карбида кремния:

1. Высокая чистота, при которой чистота продукта достигает 5N или выше.
2. Содержание кубической фазы до 99%, чистая β-фаза в кристаллической форме.
3. Морфология: Сферические частицы с широким диапазоном выбираемых размеров.
4. Низкое содержание кислорода, менее 0,3%.
5. Обладает хорошей спекающей способностью и легко диспергируется.
6. Превосходная термостойкость, износостойкость, коррозионная стойкость и устойчивость к термическим ударам.

Физический указатель

Спец.

Приложение

1. Тонкий помол
2. Высокоточная керамика из карбида кремния
3. Новые энергетические батареи
4. Полупроводники
5. Специальные покрытия
6. Высокотемпературные материалы
7. Электронные компоненты