Карбид кремния (карборунд) порошок для керамики

Порошок карбида кремния (карборунд) является основным сырьем для композитной керамики из карбида кремния. Превосходные термические и химические характеристики помогают керамике повысить прочность, антикоррозионную и термостойкость.

Керамика из карбида кремния (SIC) обладает превосходными характеристиками, такими как:

• сильная стойкость к окислению,

• хорошая износостойкость,

• высокая твердость,

• хорошая термическая стабильность

• жаропрочность

• малый коэффициент теплового расширения

• высокая теплопроводность

• термостойкость

• химическая коррозионная стойкость

Поэтому он сыграл большую роль в нефтяной, химической промышленности, машиностроении, аэрокосмической, ядерной энергетике и так далее. Например, керамика из карбида кремния работает как различные подшипники, шарики, сопла, уплотнения, режущие инструменты, лопатки газовых турбин , роторы турбонагнетателей, отражающие экраны и вкладыши камер сгорания ракет. Превосходные характеристики керамики из карбида кремния тесно связаны с ее уникальной структурой.

Порошок карбида кремния представляет собой соединение с сильной ковалентной связью, а ионное свойство связи Si-C в карбиде кремния составляет всего около 12%. Поэтому порошок карбида кремния обладает высокой прочностью, большим модулем упругости и отличной износостойкостью. Чистый карбид кремния не разрушается кислотными растворами, такими как HCl, HNO3, H2SO4 и HF, и щелочными растворами, такими как NaOH. Окисление происходит при нагревании на воздухе, но образующийся при окислении на поверхности SiO2 будет тормозить дальнейшую диффузию кислорода, поэтому скорость окисления невелика. По электрическим свойствам карбид кремния обладает полупроводниковыми свойствами, а введение небольшого количества примесей покажет хорошую проводимость. Кроме того, SiC обладает отличной теплопроводностью.

Карбид кремния принимает две кристаллические формы α и β. β-кристаллическая структура SiC представляет собой кубическую кристаллическую систему. Si и C составляют гранецентрированную кубическую решетку соответственно. Для α-SiC существует более 100 политипов SiC, таких как 4h, 15R и 6H. Политип 6H является наиболее распространенным в промышленности. Существует определенная зависимость термической стабильности между различными типами SiC. Когда температура ниже 1600 ℃, SiC β-В форме SiC. При температуре выше 1600 ℃ β-SiC медленно превращается в α-различные политипы SiC. 4h SiC легко образуется при температуре около 2000 ℃; Полиморфы 15R и 6h нуждаются в высокой температуре выше 2100 ℃ для легкого образования; Для 6h SiC он очень стабилен, даже если температура превышает 2200 ℃. 

Существует несколько вариантов порошка карбида кремния для SiC-керамики. Черный (или зеленый) карбид кремния Фракция 0-1 мм, 1-2 мм, 2-3 мм, F14, F16, F24 всегда подходит для спеченной керамики SiC в качестве заполнителя. Черный (или зеленый) порошок карбида кремния размером 40 микрон и 3,5 микрона подходит для заполнения керамики SiC.